|
|
| Автор: Геннадий Кузнецов |
| Издательство: МИСиС |
| Год: 2012 |
| Cтраниц: 1 |
| Формат: PDF |
| Размер: 0 |
|
| Качество: excellent |
| Язык: |
|
 |
|
Описание:
|
В пособии излагаются теоретические основы работы программы SimWindows 1.5, предназначенной для моделирования полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем. Приводится информация о типах файлов программы, о формировании необходимых данных по параметрам, используемых при моделировании материалов, примеры записи файлов, описывающих свойства материалов и приборов на основе Si, AlGaInP, AlGaAs, нитридов элементов III группы и их твердых растворов. Рассматривается пример моделирования диода с p-n-переходом на основе гетероструктур AlGaAs и солнечных элементов. Приводятся основные физические сведения о программе SimWindows.
|
Пресс - релиз
string(4) "true"
int(290)
|
